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 JCP－200A一体化磁控溅射镀膜机 |
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设备主要技术参数：
极限真空：8×10-5Pa
恢复抽真空时间（从大气至8×10-3Pa） 15分钟
漏气率 5×10-10PaL/S
φ50圆形平面磁控靶1只 靶材尺寸φ50×4（2″）
基片台加热温度：Max 300℃
基片台旋转：2—29r/min
溅射电源：DC 500W
气体流量控制范围20 sccm，精度±0.1sccm
断水保护分子泵及靶电源
备有安装蒸发镀膜的接口；
设备工作环境要求：
1、供电：AC 220V±5% 功率≥3千瓦
2、独立地线：<3Ω
3、供水：流量≥10L/min 水温10℃—25℃
4、室温： <30℃
5、相对湿度：<75%
6、室内无大的尘埃、无腐蚀性易燃、易爆气体 |
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设备主要特点及用途：
设备体积小，重量轻。触摸式、数字化操作面板，使用方便。设备价格便宜，使用成本低。主要用于制备金属膜。该设备留有安装蒸发镀膜的接口，因此，该设备具有蒸镀和磁控溅射两种镀膜方式，非常适合于大专院校的教学、实验之用，也可以用于课题的研究。
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公司简介
